نمایش نتایج جستجو برای
نویسنده: ابراهیم حسینی
موارد یافت شده: 45
1 - بررسی اثر توزیع تصادفی ناخالصی در ترانزیستورهای بدون پیوند (چکیده)2 - بررسی اثر هال در صفحه گرافین برای نانو سنسورهای مغناطیسی در تکنولوژی CMOS (چکیده)
3 - Analytical modeling of a p-n-i-n tunneling field effect transistor (چکیده)
4 - Radio-Frequency Modeling of Square-Shaped Extended Source Tunneling Field-Effect Transistors (چکیده)
5 - بررسی تجربی ضریب انتقال حرارت و افت فشار نانوسیال نانولوله کربن-آب تحت بار حرارتی ثابت (چکیده)
6 - معرفی یک ترانزیستور دوقطبی جدید بر اساس وارونگی سطحی (چکیده)
7 - بررسی اثر میدان مغناطیسی بر روی ضریب اصطکاک و انتقال حرارت جریان آرام در لوله مدور در حضور نانوسیال مغناطیسی Fe3O4-آب (چکیده)
8 - بررسی اثر نانوسیال نانولوله‌های کربنی-آب بر روی افت فشار و ضریب انتقال حرارت جریان آرام در لوله مدور تحت شرایط بار حرارتی دیواره ثابت (چکیده)
9 - A 2-D Analytical Model for Double-Gate Tunnel FETs (چکیده)
10 - Microwave-induced high surface functionalization of multi-walled carbon nanotubes for long-term dispersion in water (چکیده)
11 - Design and Optimization of a P+N+IN+ Tunnel FET with Si Channel and SiGe Source (چکیده)
12 - Analysis and optimization of Tunnel FET with Band gap Engineering (چکیده)
13 - Design of tunneling field-effect transistor (TFET) with AlGaAs/InGaAs hetero-junction (چکیده)
14 - Threshold characteristics analysis of InP-based PhC VCSEL with buried tunnel junction (چکیده)
15 - Analysis of Lattice Temperature Effects on a GaInP/6H-SiC Strained Quantum-Well Lasers (چکیده)
16 - ارائه یک مدل تحلیلی دو بعدی برای مشخصه جریان درین-ولتاژ گیت در ترانزیستور تونلی دو گیتی (چکیده)
17 - A novel AlGaN/GaN HEMT with a p-layer in the barrier (چکیده)
18 - A novel 4H–SiC MESFET with recessed gate and channel (چکیده)
19 - INVESTIGATION OF A NOVEL P+N+IN+ TUNNEL FET (چکیده)
20 - Recessed p-buffer layer SiC MESFET: A novel device for improving DC and RF characteristics (چکیده)
21 - بررسی اثر تابع کار سه فلزی بر عملکرد FinFET با کانال احاطه شده توسط گیت (چکیده)
22 - IMPROVED SHORT CHANNEL EFFECTS IN 4H-SIC MOSFET WITH DUAL MATERIAL GATE STRUCTURE (چکیده)
23 - Design and Optimization of A P+N+IN+ Tunnel FET (چکیده)
24 - بررسی مشخصه منفی در ترانزیستور لایه نازک (چکیده)
25 - Modeling SOI-MOSFET Using Neuro Space Mapping (چکیده)
26 - The Effects of Random Distribution Fluctuations of Dopants on SOI-MOSFET Performance (چکیده)
27 - یک BJT جانبی لایه نازک با بهره بالا بر روی زیرپایه SOI (چکیده)
28 - Novel Structures for Carbon Nanotube Field Effect Transistors (چکیده)
29 - ارائه یک ترانزیستور دوقطبی با کنترل بهره (چکیده)
30 - محاسبه جریان تونل زنی اکسید گیت درMOSFET های کانال کوتاه (چکیده)
31 - Reducing Short Channel Effects in Dual Gate SOI-MOSFETs with a Drain Dependent Gate Bias (چکیده)
32 - بررسی عملکرد یک ترانزیستور ترکیبی BJT و FET لایه نازک (چکیده)
33 - معرفی یک ترانزیستور دوقطبی جدید بر اساس وارونگی سطحی (چکیده)
34 - DC and RF characteristics of SiC MESFETs with different channel doping concentrations under the gate (چکیده)
35 - A novel SiC MESFET with recessed P-Buffer layer (چکیده)
36 - Numerical Investigate of Base Doping for Minimum Base Transit Time (چکیده)
37 - An Analytical Gate Tunneling Current Model for MOSFETs (چکیده)
38 - تصحیح کوانتومی ادوات نیمه هادی با نگاشت فضایی عصبی (چکیده)
39 - IMPROVED PERFORMANCE OF 4H-SIC MESFETS USING MIDDLE RECESSED STRUCTURE WITH DUAL CHANNEL LAYER (چکیده)
40 - Two-Dimensional Analytical Modeling of Fully Depleted Short-Channel Dual-Gate Silico-on-Insulator Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (چکیده)
41 - Modeling Semiconductor Device by Using Neuro Space Mapping (چکیده)
42 - Accurate Analytical Model for Current–Voltage and Small-Signal Characteristics of AlmGa1_mN/GaN Modulation-Doped Field-Effect Transistors (چکیده)
43 - Analytical modelling of gate tunneling current of MOSFETs based on quantum tunneling (چکیده)
44 - Investigation of the novel attributes in double recessed gate SiC MESFETs at drain side (چکیده)
45 - Neuro-fuzzy based constraint programming (چکیده)
